收藏本站
型号 SPD18P06P
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
SPD18P06P PDF
代理商 SPD18P06P
产品变化通告 Product Discontinuation 22/Feb/2008
产品目录绘图 Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
标准包装 2,500
系列 SIPMOS®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 18.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 130 毫欧 @ 13.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 33nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 860pF @ 25V
功率 - 最大 80W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 P-TO252-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000077440
SPD18P06P-ND
SPD18P06PINTR
SPD18P06PXT
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SPD18P06P G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
SPD22N08S2L-50 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 25A DPAK
SPD25N06S2-40 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 29A DPAK
SPD26N06S2L-35 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
SPD30N03S2L-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
SPD30N03S2L-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
SPD30N03S2L-07 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
SPD30N03S2L07T Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
SPD30N03S2L-10 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
SPD30N03S2L-10 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
SPD30N03S2L-10 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
SPD30N03S2L10T Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
SPD30N03S2L-20 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
SPD30N03S2L-20 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
SPD30N03S2L-20 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
SPD30N03S2L-20 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
SPD30N06S2-15 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
SPD30N06S2-23 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
SPD30N06S2L-13 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
SPD30N06S2L-23 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A DPAK